MOSFET
| Comment | Enhancement |
|---|---|
| Polarity | N |
| BVdss (V) | 400 |
| Id (A) | 5.5 |
| Rds(on) (Ω) | 0.9 |
| Qg (nC) | 14 |
| Package | TO-252 |
| status | Mass |
- Low drain-source On resistance : RDS(on) = 0.9Ω (Typ.)
- Low gate charge : Qg = 14nC (Typ.)
- Low reverse transfer capacitance : Crss = 9.5pF (Typ.)
- RoHS compliant device
- 100% avalanche tested
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