MOSFET
50V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
| Comment | Enhancement |
|---|---|
| Polarity | P |
| BVdss (V) | 50 |
| Id (A) | 40 |
| Rds(on) (Ω) | 0.019 |
| Qg (nC) | 36.69 |
| Package | TO-252 |
| status | Develop |
- Advanced trench process technology.
- High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance.
TO-252 Package Available
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